来自安森美半导体公司的车规级SiC MOSFET

相较硅IGBT器件，碳化硅（SiC）MOSFET具有明显优势，因为汽车、可再生能源、家用电器和数据中心电源系统等大功率应用都要求更快的开关速度、更高的电流密度和更低的导通电阻（Rds(ON)）。

具体来讲，SiC MOSFET可以阻断的电压是硅器件的10倍，具有更高的电流密度，能够以10倍的更快速度在导通和关断状态之间转换，并且具有更低的Rds(ON)。例如，安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出的两款1200V、80mΩ、SiC MOSFET符合现代高频设计的需求，具有低漏电流、低反向恢复电荷的快速本征二极管，可大大降低功耗，支持更高频率工作和更高功率密度，低导通损耗(Eon)及关断损耗(Eoff)/快速导通及关断结合低正向电压降低总功耗，因此减少散热要求。

型号为NVHL080N120SC1的汽车级SiC MOSFET具有较低的寄生电容，能支持以很高频率开关的能力，减少恼人的电磁干扰（EMI）问题；同时，更高浪涌、雪崩能力和强固的短路保护增强整体强固性，提高可靠性和延长总预期使用寿命。NVHL080N120SC1具有高达175℃的最高工作温度，适合汽车设计，以及高密度和空间限制推高典型环境温度的其他目标应用。

NVHL080N120SC1采用专利终端结构，增加了可靠性和强固性，并增强了工作稳定性。该设计用于承受高浪涌电流，并提供高的雪崩能力和强固的短路保护，可用于因日增的电子含量和电动动力总成而兴起的越来越多的车载应用，包括汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。

成本方面，NVHL080N120SC1结合了高功率密度及高能效的工作优势，还具有更小的占位，可显著降低运行成本和整体系统尺寸。这些特性使需要的热管理更少，电路设计更简单，可进一步减少系统的物料单(BoM)成本、尺寸和重量。