一款来自日本晶体管厂商的智能汽车用超小型MOSFET

在5G技术的推动下，智能网联汽车成为大家翘首以待的5G应用产品，这也刺激了ADAS（Advanced Driving Assistant System，高级驾驶辅助系统）的发展。受安装空间的限制，ADAS不可或缺的车载摄像头对MOSFET等零组件的小型化要求越来越高。由于汽车领域丰厚的投资回报率，半导体厂商趋之若鹜。

日本半导体厂商ROHM最近开发了尺寸1.6mm×1.6mm的超小型MOSFET。资料显示，车规级品质的RV4xxx系列符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，可确保部件安装后的可靠性，这归功于ROHM独特的Wettable Flank成型技术。

基于小型底部电极的优势，RV4xxx系列新产品融入了独有工艺Wettable Flank成型封装，这样可保证侧面电极部分具有130μm高度，实现了更高的安装可视性，解决了长期以来存在的“安装后的焊接状态确认”难题。作为DFN1616封装产品（1.6mm×1.6mm），RV4xxx系列是业界首家保证封装侧面电极部分130μm的高度。

在汽车领域，以往的ADAS摄像头模块的反接保护电路主要采用肖特基二极管（SBD）。在超大电流化方向发展的车载市场，摄像头的分辨率日益提高，由于小型底部电极MOSFET具有导通电阻低且可减少发热量的特点，替换掉肖特基二极管已经是大势所趋。这主要体现在以下几点：

（1）在引线框架整个表面上设置了用来减少毛刺的阻挡层。由于引线框架切割高度越高越容易产生毛刺，而Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的，通过设置减少毛刺的阻挡层，新工艺能防止产品安装时的倾斜和焊接不良。


（2）与肖特基二极管相比，安装面积可削减30%。当电流2.0A、功耗0.6W时，车载市场使用最多的是带引脚的MOSFET封装。与肖特基二极管相比，MOSFET封装可削减30%的安装面积。如果采用底部电极封装的MOSFET，不仅散热性更好，还可实现小型化、大电流化。

可见，与传统的肖特基二极管相比，Wettable Flank成型技术安装面积可削减78%。与普通的MOSFET相比，Wettable Flank成型技术安装面积也能削减68%。

ROHM表示，其未来还将运用Wettable Flank成型技术的优势，将这种小型封装技术从MOSFET扩展到双极晶体管和二极管产品上，为5G应用提供更多的小型高可靠性技术产品。