GaN充电器高频化之路：分立器件如何破解电磁干扰与协同难题？

随着氮化镓GaN技术在PD快充领域的普及，充电器正朝着更小巧、更高效的方向发展。不过工程师在设计GaN充电器时，却面临一些棘手挑战：在高频状态下，电磁干扰EMI频繁发生，这导致设备兼容性下降；器件间协同性也不够充足，进而引发了效率波动及稳定性的风险。电路之中的这些问题犹如“暗礁”，稍微一不小心，便会对产品性能以及用户体验造成影响。