国家标委会及全球标准机构发布的二极管测试标准大全

二极管是一种应用非常普遍的半导体器件，是构成电路的基础元器件之一。由于用途广泛，判断及检测二极管的方法也多种多样，电子维修人员和无线电爱好者一般通过目测和万用表来判断和选择二极管。这时，有关硅管和锗管的一些基本选用常识如下：

（1）如果要求正向压降小，就采用锗二极管；如果要求反向电流小，则选择硅二极管。

（2）要在大电流环境工作，就选择面接触型二极管；如果要求工作频率高，就选择点接触型二极管。

（3）反向击穿电压高，选择硅二极管。

（4）要求耐高温，选择硅二极管。

在标准分类中，二极管测试涉及半导体二极管、半导体发光器件、激光器件、光电子器件综合、半导体光敏器件、电力半导体器件、部件、光通信设备、微波管等类别。对于工厂用户，无论是二极管制造商，还是应用客户，遵循的是相关标准，如国家质检总局发布的二极管测试标准，行业标准，以及国际技术机构发布的行业标准。

二极管国家标准

根据中国国家标准化管理委员会的国家标准全文公开系统，我国现行二极管国家标准共28条，这些标准的标准号、标准名称如下：

GB/T 36919-2019 有机发光二极管照明 术语和文字符号
GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法 推标
GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范
GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范
GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
GB/T 35846-2018 发光二极管照明用玻璃管
GB/T 33762-2017 有机发光二极管（OLED）电视机显示性能测量方法
GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
GB/T 30241.2-2013 齐纳二极管安全栅 第2部分：性能评定方法
GB/T 30241.1-2013 齐纳二极管安全栅 第1部分：通用技术条件
GB/T 20871.61-2013 有机发光二极管显示器 第61部分：光学和光电参数测试方法
GB/T 23729-2009 闪烁探测器用光电二极管 试验方法
GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
GB/T 18802.321-2007 低压电涌保护器元件 第321部分：雪崩击穿二极管（ABD）规范
GB/T 20871.2-2007 有机发光二极管显示器 第2部分：术语与文字符号
GB/T 18904.5-2003 半导体器件 第12-5部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范
GB/T 18904.1-2002 半导体器件 第12-1部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范
GB/T 18904.2-2002 半导体器件 第12-2部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带尾纤的激光二极管模块空白详细规范
GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范
GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
GB/T 15649-1995 半导体激光二极管空白详细规范
GB/T 18904.3-2002 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范

二极管测试的行业标准

除了国家标准，我国关于二极管测试的现行行业标准共46条，部分标准号、标准名称如下：
SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
SJ/T 2354-2015 PIN、雪崩光电二极管测试方法
SJ 2749-1987 半导体激光二极管测试方法
SJ 2354.7-1983 PIN、雪崩光电二极管光谱响应曲线和光谱响应范围的测试方法
SJ 2354.5-1983 PIN、雪崩光电二极管电容的测试方法
SJ 2354.9-1983 PIN、雪崩光电二极管噪声等效功率的测试方法
SJ 2354.12-1983 雪崩光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法
SJ 2354.1-1983 PIN、雪崩光电二极管光电参数测试方法.总则
SJ 2354.2-1983 PIN、雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法
SJ 2354.3-1983 PIN、雪崩光电二极管暗电流的测试方法
SJ 2354.4-1983 PIN、雪崩光电二极管正向压降的测试方法
SJ 2354.6-1983 PIN、雪崩光电二极管响应度的测试方法
SJ 2354.8-1983 PIN、雪崩光电二极管脉冲上升、下降时间的测试方法
SJ 2354.10-1983 PIN、雪崩光电二极管列阵串光因子的测试方法
SJ 2354.11-1983 PIN、雪崩光电二极管列阵盲区宽度的测试方法
SJ 2354.13-1983 雪崩光电二极管倍增因子的测试方法
SJ 2354.14-1983 雪崩光电二极管过剩噪声指数的测试方法
SJ 2214.2-1982 半导体光敏二极管正向压降的测试方法
SJ 2214.3-1982 半导体光敏二极管暗电流的测试方法
SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器（二极管）反向击穿电压的测试方法
SJ 2215.2-1982 半导体光耦合器（二极管）正向压降的测试方法
SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法
SJ 2215.3-1982 半导体光耦合器（二极管）正向电流的测试方法
SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器（二极管）反向电流的测试方法
SJ 2214.5-1982 半导体光敏二极管结电容的测试方法
SJ 2142-1982 硅稳流二极管电流温度系数的测试方法
SJ 2138-1982 硅稳流二极管稳定电流的测试方法
SJ 2137-1982 硅稳流二极管测试方法.总则
SJ 2141-1982 硅稳流二极管击穿电压的测试方法
SJ 2139-1982 硅稳流二极管动态阻抗的测试方法
SJ 2140-1982 硅稳流二极管极限电压的测试方法
SJ 1388-1978 噪声二极管阳极电导的测试方法
SJ 1391-1978 噪声二极管冷态电压驻波系数的测试方法
SJ 966-1975 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法
SJ 1386-1978 噪声二极管和气体放电噪声管测试条件
SJ 1230-1977 锗检波二极管高频整流电流的测试方法
SJ 1387-1978 噪声二极管灯丝电流和灯丝电压的测试方法
JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法
WJ 2100-2004 硅光电二极管、硅雪崩光电二极管测试方法

国际上，美国固态技术协会（JEDEC）发布了一些关于二极管测试的标准，例如JESD24-10-1994《功率MOSFET Drain-Sources二极管的逆向恢复时间trr测量的测试方法》，JESD24-7-1992《整流二极管安全工作区域测试步骤以在功率晶体管逆向恢复期中测量dv/dt》。

设计应用中，用户除了二极管的电气参数、质量可靠性外，还要考虑IEC、ISO、ITU等国际标准机构发布的标准，以及中国3C、美国UL等强制性安规标准。