什么是MOSFET：场效应晶体管发展历史和技术基础知识

MOSFET或场效应晶体管是一种三端器件，它使用电场来控制流过器件的电流 - 它还具有高输入阻抗，这在许多电路中都很有用。

场效应晶体管MOSFET是电子工业的关键有源器件。

在许多电路中使用的MOSFET由分立元件构成，从RF技术到功率控制和切换到一般放大。

然而，场效应晶体管的主要用途是MOSFET在集成电路内。在这种应用中，FET电路仅能消耗非常小的功率，这使得巨大的超大规模集成电路能够工作。如果使用双极技术，则功耗将高出几个数量级，并且产生的功率太大而无法容纳在单个集成电路中。

场效应晶体管，MOSFET历史

在第一批FET进入市场之前，这个概念已经知道了很多年。在实现设备并使其工作方面存在许多困难。

Lilienfield在1926年的一篇论文和Heil在1935年的另一篇论文中概述了场效应晶体管的一些早期概念。

20世纪40年代，贝尔实验室成立了下一个基金会，在那里建立了半导体研究小组。该小组研究了许多与半导体和半导体技术有关的领域，其中一个领域是调制半导体通道中流动的电流的装置。

在这些早期实验中，研究人员无法使这个想法发挥作用，将他们的想法转变为另一种想法，最终发明了另一种形式的半导体电子元件：双极晶体管。

在此之后，大部分半导体研究都集中在改进双极晶体管上，并且在一段时间内没有对场效应晶体管的想法进行全面研究。现在MOSFET被广泛使用，在许多集成电路中提供主要的有源元件。没有它们，电子技术将与现在的技术截然不同。

场效应晶体管 - 基础知识

场效应晶体管的概念基于这样的概念：附近物体上的电荷可以吸引半导体通道内的电荷。它基本上使用电场效应 - 因此得名。

MOSFET由半导体沟道组成，其两端的电极称为漏极和源极。

称为栅极的控制电极放置在非常靠近通道的位置，使得其电荷能够影响通道。

以这种方式，MOSFET的栅极控制从源极流到漏极的载流子（电子或空穴）的流动。它通过控制导电通道的尺寸和形状来实现。

发生电流的半导体通道可以是P型或N型。这产生了两种类型或类别的MOSFET，称为P沟道和N沟道MOSFET。

除此之外，还有两个类别。增加栅极上的电压可以耗尽或增加通道中可用的电荷载流子的数量。结果，存在增强型FET和耗尽型FET。


因为只有电场控制在通道中流动的电流，所以该装置被称为电压操作，并且它具有高输入阻抗，通常是许多兆欧。与电流操作的双极晶体管相比，这可以是明显的优势，并且具有低得多的输入阻抗。


MOSFET电路

场效应晶体管广泛用于所有形式的电路中，从用于具有分立元件的电路到用于集成电路的电路中。

关于场效应晶体管电路设计的注意事项：

场晶体管晶体管可以用在许多类型的电路中，尽管三种基本配置是公共源极，公共漏极（源极跟随器）和公共栅极。电路设计本身如果相当简单，可以很容易地进行。