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与BJT-双极结型晶体管不同,FET-场效应晶体管不会发生热失控,正如我们已经讨论过的那样。然而,最大和最小传输特性的巨大差异使得ID电平不可预测,具有简单的固定栅极偏置电压。除了少数例外,MOSFET偏置电路与用于JFET的电路类似。
与BJT-双极结型晶体管不同,FET-场效应晶体管不会发生热失控,正如我们已经讨论过的那样。然而,最大和最小传输特性的巨大差异使得ID电平不可预测,具有简单的固定栅极偏置电压。为了获得静态漏极电流ID和漏极 - 源极电压VDS的合理限制,必须使用源电阻器和分压器偏置技术。除了少数例外,MOSFET偏置电路与用于JFET的电路类似。下面讨论各种FET(场效应晶体管)偏置电路:
固定偏置
固定直流偏压是使用电池VQG获得。该电池确保栅极相对于源极总是负的,并且没有电流流过电阻器RG和栅极端子,即IG = 0。电池提供一个电压VGS以偏置N沟道JFET,但没有从电池VGG汲取电流。包括电阻器RG以允许通过电容器C施加的任何交流信号在RG上产生。虽然任何交流信号将发展跨越RG,直流电压下降通RG等于IG RG即0伏。
栅极-源极电压VGS则为
VGS = – vG – vs = – vGG – 0 = – VGG
然后,漏极 - 源极电流ID由栅极 - 源极电压固定,如通过等式确定的。
该电流然后使得跨越该漏极电阻器R的电压降d和给出 VRD = ID RD 和输出电压,Vout = VDD – ID RD
自偏置电路
然后是栅极 - 源极电压
VGs = VG – Vs = 0 – ID Rs = – ID Rs
因此,电阻Rs上的电压降提供了偏置电压VGg,并且不需要外部源来进行偏置,这就是它被称为自偏置的原因。
工作点(即零信号ID和VDS)可以 通过以下公式和公式轻松确定:
VDS = VDD – ID (RD + RS)
因此,JFET放大器的直流条件已完全确定.JFET的自偏置使其静态工作点稳定,以防止其跨参数等参数发生任何变化。让给定的JFET被另一个具有双重电导的JFET代替,那么漏极电流也将试图加倍,但由于RS上的电压降任何增加,因此栅极 - 源极电压VGS变得更负,因此漏极增加电流减少了。
电位分压器偏置
栅极反向偏置,使得IG = 0 并且栅极电压
VG =V2 = (VDD/R G1 + R G2 ) *RG2
和
VGS = vG – vs = VG – ID Rs
该电路设计为ID Rs 大于VG ,因此 VGS 为负。这提供了正确的偏置电压。
操作点可以确定为
ID = (V2 – VGS)/ RS
和
VDS = VDD - ID (RD + RS)