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JFET或结型场效应晶体管及其特性

结型场效应晶体管是场效应晶体管系列中的半导体器件。场效应晶体管是晶体管的类型,其由施加在器件结点上的电场操作。主要有两种类型的场效应晶体管。结型场效应晶体管或JFET和金属氧化物半导体场效应晶体管或MOSFET。我们将在这篇文章中讨论关于结型场效应晶体管。

结型场效应晶体管场效应晶体管系列中的半导体器件。场效应晶体管是晶体管的类型,其由施加在器件结点上的电场操作。主要有两种类型的场效应晶体管。结型场效应晶体管或JFET和金属氧化物半导体场效应晶体管或MOSFET。我们将在这篇文章中讨论关于结型场效应晶体管。

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JFET是电压控制器件,而BJT是电流控制器件。通过JFET的电流是由于多数载流子的流动引起的,而在BJT中,电流流动是由多数载流子和少数载流子引起的。由于只有多数载流子参与JFET中的电流创建,因此它是单极器件。JFET的输入阻抗非常高。

JFET的类型

JFET有两种类型--n沟道JFET和p沟道JFET。

N沟道JFET

n沟道JFET由Si或GaAs棒制成。棒掺杂有n型杂质。一个金属端子连接到杆的两端中的每一端。其中一个端子称为漏极端子,另一个称为源极端子。棒的两侧高度掺杂有p型杂质。掺杂有p型杂质的区域称为栅极区域。金属端子连接到栅极区域,并且端子称为栅极端子。

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P沟道JFET

类似地,p沟道JFET由掺杂有p型杂质的Si或GaAs棒制成。棒的侧面高度掺杂有n型杂质。这里,漏极和源极端子也连接到杆的两端。附接到侧n型区域的端子是栅极端子。

注意: -在这两种类型的结型场效应晶体管中,漏极和源极端子都可以互换。

如果在漏极和源极端子之间施加电压,则电流开始流过器件。两个相反掺杂区域之间的空间称为器件的沟道。由于多数载流子的漂移,电流流过沟道。通过终端进入信道的多数载波被称为源终端,并且多数载波通过其离开信道的终端被称为漏极终端。

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在正常操作条件下,n沟道JFET的漏极端子被施加正电势,并且p沟道JFET的漏极端子被施加负电势。栅极电压保持在JFET中,栅极区和沟道之间的PN结处于反向偏置状态。通过改变栅极端子电压可以改变该PN结的耗尽层的宽度。沟道的开口取决于耗尽层的宽度。

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如果通过改变栅极端子电压,耗尽层的宽度增加,则它延伸到沟道中并减小沟道的开口,因此通过沟道的电流减小。因此我们可以得出结论,通过控制栅极电压,我们可以控制漏极电流。根据JFET的典型特性,我们可以将此JFET用于许多不同的电子应用。JFET可用作开关,放大器等。

JFET的特性

1. 这是一个电压控制装置,因为通过通道的电流受到栅极电压的控制。换句话说,跨越结的电场影响晶体管的操作,这就是为什么它被称为结型场效应晶体管。

2. 在正常工作条件下,输入栅极区和沟道之间的结保持反向偏置,晶体管的输入阻抗很高。

3. 理想情况下,JFET中没有栅极电流。

4. 多数载流子仅通过器件中的沟道贡献电流,即n沟道中的自由电子和p沟道中的空穴,这些是晶体管被称为单极器件的原因。

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