二极管数据表中的常用性能参数及中英文说明

二极管是最简单的半导体器件，也是大多数电子产品BOM清单中的基础元器件之一。虽然购买二极管之前，用户已经知道这些二极管的具体用法，阅读厂商提供的二极管数据表，可以了解更多的二极管参数和应用信息，让自己的设计方案更完美。

但是，目前市场上的半导体器件，无论是集成电路芯片，还是二极管、三极管、MOS管，厂家所提供的数据表（datasheet）全部是英文。以下列出了一些常见的二极管参数，依次为参数、英文说明、中文说明：

αVF：Temperature coefficient of forward voltage，正向压降的温度系数    
Cj：Junction Capacitance，结电容  
ηV：Rectification Efficiency，整流效率
dv/dt：critical rate of rise of off-state voltage，断态电压临界上升率 
di/dt：critical rate of rise of on-state current，通态电流临界上升率  
I(AV)：Average Forward Rectified Current，正向平均整流电流    
ID：Stand-off Reverse Leakage Current，关态反向漏电流  
IFSM：Peak Forward Surge Current，正向浪涌峰值电流  
IF(AV)：foreard current，正向平均电流(整流管)
If：DC Forward Current，正向直流电流 
IGT：gate trigger current，门极触发电流 
ITSM：Non Repetitive Surge Peak on-state Current，不重复浪涌峰值开态电流 
IDM：Maximum Reverse Leakage，最大反向漏电流  
IDRM：repetitive peak of-state current，断态重复峰值电流
IFM：peak forward current (of diode)，正向峰值电流(整流管)  
IFRM：Repetitive Peak Forward Current，正向重复峰值电流  
IH：Holding Current，维持电流  
IO：Mean Forward Current，正向平均电流  
IR：Reverse Leakage Current，反向漏电流  
Irr：Reverse Recovery Current，反向恢复电流  
IPPM：Maximum peak lmpulse Current，最大脉冲峰值电流  
IRM：Maximum peak Reverse Current，最大峰值反向电流  
IRM(REC)：Maximum peak Reverse recovery Current，最大峰值反向恢复电流 
IRMS：R.M.S. on-state current，通态方均根电流   
IRRM：repetitive peak reverse current，反向重复峰值电流 
IRSM：Maximum Non-repetitive recovery Peak Current，最大峰值反向恢复电流 
IT：On-state Test Current，导通测试电流 
IT(AV)：on-state current，通态平均电流  
ITM：peak on-state current，通态峰值电流 
ITSM：surge on-state current，通态浪涌电流 
PD：Power Dissipation，功功率损耗
PM(AV)：Maximum Steady State Power Dissipation，最大稳态功耗  
PPM：Peak Pulse Power Dissipation，峰值脉冲功耗  
Ptot：Total Power Dissipation，总功耗 
Qrr：reverse recovery charge，反向恢复电荷  
Rjc：junction-case thermal resistance，结壳热阻 
ROJA：Thermal Resistance (Junction to Ambient)，热阻（结到环境）  
ROJC：Thermal Resistance（Junction to Case ），热阻（结到管壳）  
ROJL：Thermal Resistance（Junction to Lead ），热阻（结到引线） 


TA：Ambient Temperature，环境温度  
TC：Case Temperature，管壳温度  
td：Time Duration，持续时间  
tf：Fall Time，下降时间  
tfr：Forward Recovery Time，正向恢复时间  
tgt：gate controlled turn-on time，门极控制开通时间 
Tj：Junction Temperature，结温 
Tjm：maximum virtual junction temperature，最高等效结温 
TL：Lead Temperature，引线温度
ton：turn on time，开通时间
tq：cricuit commutated turn-off time，电路换向关断时间      
tr：Rise Time，上升时间  
trr：reverse recovery time (of diode) ，(二极管的)反向恢复时间 
ts：storage time，存储时间   
TSTG： Storage Temperature，存储温度 
VBO：Breakover Voltage，转折电压  
V（BR）：Reverse Breakdown Voltage，反向击穿电压  
VDC,VR DC Reverse Voltage，反向直流电流
VDSM：non-repetitive peak off-state voltage，断态不重复峰值电压 
VDRM：repetitive peak off-state voltage，断态重复峰值电压 
VF：Instantaneous Forward Voltage，正向瞬态电压  
VFM：peak forward voltage (of diode)，正向峰值电压(整流管) 
VFR：Forward Recovery Voltage，正向恢复电压 
VGT：gate trigger voltage，门极触发电压 
VRM：Maximum Reverse Paek Reverse Voltage，最大重复峰值反向电压 
VRMS：RMS Input Voltage，均方根输入电压  
VRRM：Peak Repetitive Reverse Voltage，反向重复峰值电压  
VRSM：non-repetitive peak reverse voltage，反向不重复峰值电压
VTM：peak on-state voltage，通态峰值电压 
VWM：Working Peak Reverse Voltage，反向工作峰值电压  
VC：Clamping Voltage，箝位电压  
VWM：Working Stand-off Voltage，关态工作电压  
VZ：Zener Voltage，齐纳电压  
ZZ：Dynamia Zener Impedance，动态齐纳阻抗  

以合科泰半导体公司生产的BZT52C18稳压二极管为例，该通用的中等电流贴片二极管采用SOD-123封装，最大功耗（PD）为350mW，导通电压（VF@IF=10mA）为0.9V，热阻（ROJA）为357°C/W，结温（TJ）为150°C，存储温度（TSTG）为-55~+150°C，其他参数用户可以从数据表中的图表及特性曲线查找。