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二极管问题与解答盘点
盘点二极管常见问题及答案，包括二极管的PN结是什么，pn结的示意符号中的箭头表示当二极管正向偏置时常规电流的方向，理想二极管是一种双端子极性敏感器件，正向偏置时具有零电阻，反向偏置时具有无限电阻等。
1. 解释什么是pn结？
镀在一起以形成pn结的p型和n型半导体片层之间的接触表面称为pn结。
不同封装的二极管
2. 为什么硅在半导体器件制造中优于锗？
硅半导体器件通常具有比锗半导体器件更高的PIV和电流额定值以及更宽的温度范围，这就是为什么在半导体器件的制造中硅优于锗的原因。
3. 解释箭头在pn结的原理图符号中表示的是什么？
pn结的示意符号中的箭头表示当二极管正向偏置时常规电流的方向。
4. 解释pn结中两种击穿机制是什么？
雪崩和齐纳击穿。
5. 在反向偏置条件下将击穿机制命名为轻掺杂pn结。
雪崩击穿。
二极管的类型
6. 在反向偏置条件下将击穿机制命名为高掺杂pn结。
齐纳击穿。
7. 解释什么是理想二极管？
理想二极管是一种双端子极性敏感器件，正向偏置时具有零电阻，反向偏置时具有无限电阻。
8. 解释什么是反向饱和电流？
二极管的反向电流是由少数载流子引起的，并且是在二极管反向偏置时引起的。仅需要非常小的电压来引导所有少数载流子跨越结，并且当所有少数载流子流过时，偏置电压的进一步增加将不会引起电流的增加。该电流称为反向饱和电流。
9. 二极管的反向饱和电流是否与反向偏置电压无关？
是。
10. 为什么锗比硅更依赖于温度？
因为锗二极管的储备饱和电流大约是1000倍。
11. 解释温度对二极管反向饱和电流的影响是什么？
理论上，反向饱和电流对于硅来说每oC增加8％，对于锗增加11％/ oC。但是从实验数据可以看出，对于硅和锗，反向饱和电流每oC增加7％。这是因为反向饱和电流的表面漏电流分量与温度无关。由于（1.07）10 = 2.0（大约），反向饱和电流大约每10oC升温一倍。
12. 解释二极管的静电电阻是多少？
二极管的静态或直流电阻是它提供给直流电阻的电阻。它被定义为感兴趣点处二极管电压和电流的比率，并且对VI特性曲线的形状不敏感。它随着二极管电流或电压的增加而减小。
13. 定义正向偏置条件下pn结二极管的动态电阻。
pn结二极管对正向电流变化提供的电阻定义为动态电阻。
交流或动态电阻，r =（正向电压变化小）/（正向电流变化小）
