国产MOS管厂家将弯道超车,高端超结MOS管是趋势

HOTKING2019-10-25 12:00:00MOS管集成电路

国产MOS管厂家近来利好不断,我国半导体产业也已经进入快速发展阶段。高端超结MOS、Trench IGBT、SGT MOS产品产业化依然是未来几年功率半导体器件企业发展必争之地,在中美贸易摩擦的大背景下,国产MOS管厂家凭借产业链优势,以及来自国内航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备电源装置等领域的持续需求,将在最近几年弯道超车,成为国际市场的新势力。

国产MOS管厂家近来利好不断,我国半导体产业也已经进入快速发展阶段。这一方面是国家集成电路大基金以及其他资本的注入,另一方面是“中国制造2025”迫使高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通、国家电网、新能源汽车等国民经济支柱性行业纷纷提出关键功率器件国产化的需求。

国产MOS管厂家

目前,我国MOS管主要上市公司有:吉林华微电子股份有限公司、苏州固锝电子、士兰微、华润华晶、东光微、深爱半导体。


其中,杭州士兰微电子产品广泛,包括MCU、电源管理电路、LED照明驱动电路、功率驱动模块、消费类专用电路、MEMS传感器、计量类电路、半导体分立器件等。其中,半导体分立芯片包括TVS、快恢复二极管、VD-MOS管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管,半导体分立产品包括TRENCH系列低压MOSFET、D-Well系列超级结高压MOSFET、S-Rin系列耗尽型高压MOS、F-Cell系列高压MOSFET、F-CellTM系列C版高压MOSFET、中低压功率MOSFET、低频大功率三极管、肖特基二极管(SBD)、快恢复二极管(FRD)、瞬态抑制二极管(TVS)、IGBT、IGBT模块等。

华微电子主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务,已建立从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT国内最齐全、最具竞争力的功率半导体器件产品体系,正逐步由单一器件供应商向整体解决方案供应商转变;同时公司积极向新能源汽车、变频家电、光伏等新兴领域快速拓展,并已取得初步效果,为公司持续发展奠定了坚实的基础。

江苏东光微电子专注功率半导体行业,包括IGBT、MOS管、二极管、防护器件、晶闸管和交流开关、气体放电管、整流桥等,主要应用涵盖电子照明绿色能源、电动车、电焊机、电磁炉、超声波清洗机、电机控制、调温调光调速控制、马达控制器、过压保护等。

固锝电子在上交所上市,主要产品包括整流二极管、超高速整流二极管、肖特基整流二极管、瞬态电压抑制二极管、功率整流管、齐纳稳压管、桥式整流器、小信号二极管、高速开关二极管、肖特基二极管、聚合物静电抑制器、MOSFET、光伏组件用旁路二极管模块等。

MOS管技术项目

从技术发展趋势上来看,尽管与国际领先水平尚有差距,但国产MOS管发展势头强劲。高端超结MOS、Trench IGBT、SGT MOS产品产业化依然是未来几年功率半导体器件企业发展必争之地,此外,第三代SiC、GaN器件将是未来功率器件发展趋势,国内众多企业开始进入研究阶段。

N-沟道功率MOS管
N-沟道功率MOS管

目前,国产MOS管厂家正在利用经济结构转型升级的机会,积极实施产品研发和结构调整,加快半导体产品的国产替代步伐。其中,一些上市公司则全力推进IGBT、SCR、Trench MOS、超结MOS和Trench SBD等产品平台建设。一些典型的重点工艺平台如下:

(1)超结MOSFET:包括多层外延工艺超结MOS自主工艺平台建设,以650V、800V系列为主体的MOS管产品。

(2)IGBT:自主设计集成电流传感器和温度传感器的IGBT芯片,包括超高压IGBT产品,推动白色家电、工业变频、光伏逆变等领域。

(3)低压TRENCH MOS:以Trench工艺平台开发的新产品,实现芯片尺寸和导通电阻的进一步优化,拓展逆变器、快速充电器、电动车控制器等领域。

(4)超高压FRD:主要是3300V、4500V、6500V超高反压快恢复二极管,主要应用为轨道交通、差高压电网等领域。

(5)Trench肖特基二极管产品:重点是45V及100V Trench SBD工艺。


目前,我国半导体分立器件行业基础设施完善,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。在中美贸易摩擦的大背景下,国产MOS管厂家凭借产业链优势,以及来自国内航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备电源装置等领域的持续需求,将在最近几年弯道超车,成为国际市场的新势力。