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乐山无线电 (LRC) LP3443LT1G SOT23 9.6折

乐山无线电 (LRC) P沟道MOSFET LP3443LT1G 封装SOT23 主要参数20V 110mΩ 4.7A 开关电源、新能源、 电力系统、家电等 主要特点是先进沟道技术,输入阻抗高、 噪声低、热稳定性好、制造工艺简单、抗辐射能力强

制造商料号:LP3443LT1G

参 数 规 格:20V 110mΩ 4.7A

封 装 规 格:SOT23

包 装 数 量:3000 pcs

品         牌:乐山无线电 | LRC

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商 品 类 别:MOSFET

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501+ ¥0.267264/pcs ¥0.278400/pcs
3001+ ¥0.240576/pcs ¥0.250600/pcs
15001+ ¥0.231648/pcs ¥0.241300/pcs
30001+ ¥0.222720/pcs ¥0.232000/pcs
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商品类别 MOSFET 品牌 乐山无线电
产品系列 P沟道MOSFET 行业应用 开关电源、新能源、 电力系统、家电等
技术应用 先进沟道技术,输入阻抗高、 噪声低、热稳定性好、制造工艺简单、抗辐射能力强 物料编号 LP3443LT1G
型号 LP3443LT1G 极性 P沟道
PD(功耗) 1.1W VDS(漏源极电压) 20V
VGS(栅源极电压) 0.6~1.4V IDS(连续漏极电流) 4.7A 
RDS (漏源极导通电阻) 110mΩ    封装形式 SOT23
Tj最大结温 150℃ 温度系数 110℃/W
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