场效应晶体管-MOSFET类型和规格

场效应晶体管类型

有许多方法可以定义可用的不同类型的MOSFET。它们可以通过多种方式进行分类，但下面的树形图中可以介绍一些主要类型的MOSFET。

市场上有许多不同类型的FET，其中有各种名称。一些主要类别延迟到低于。

• 结FET，JFET： 结FET或JFET使用反向偏置二极管结来提供栅极连接。基本上，在沟道半导体上制造小二极管。在操作中，这是反向偏置的，这意味着它与通道有效隔离 - 只有二极管反向电流可以在两者之间流动。JFET是最基本的FET类型，也是最初开发的MOSFET。然而，它仍然在许多电子领域提供优质的服务。

• 绝缘栅FET /金属氧化硅FET FET MOSFET： 这种FET在栅极和沟道之间使用绝缘层。通常，这由半导体的氧化物层形成。名称IGFET指的是具有绝缘栅极的任何类型的FET。最常见的IGFET形式是硅MOSFET - 金属氧化物硅FET。这里，栅极由设置在氧化硅上的金属层制成，该金属层又位于硅沟道上。

• 双栅极MOSFET： 这是一种特殊形式的MOSFET，沿沟道具有两个串联的栅极。与单栅器件相比，这使得能够进行一些显着的性能改进，特别是在RF时。第二个门在输入和输出之间提供额外的隔离，除此之外，它还可以用于混合/乘法等应用。

• MESFET：MEtal硅FET通常使用砷化镓制造，通常称为GaAs FET。GaAsFET通常用于RF应用，它们可以提供高增益低噪声性能。GaAsFET技术的一个缺点是非常小的栅极结构，这使得它对静电ESD的损坏非常敏感。处理这些设备时必须非常小心。

• HEMT / PHEMT：高电子迁移率晶体管和假晶高电子迁移率晶体管是基本FET概念的发展，但开发用于实现非常高频率的操作。虽然价格昂贵，但它们可以实现非常高的频率和高水平的性能。

• FinFET：FinFET技术现在正在集成电路中使用，通过允许更小的特征尺寸实现更高水平的集成。由于需要更高的密度水平并且越来越难以实现更小的特征尺寸，因此更广泛地使用FinFET技术。

• VMOS：垂直MOS的VMOS标准。它是一种使用垂直电流来改善开关和载流性能的FET。VMOSFET广泛用于电源应用。

尽管在文献中可以看到一些其他类型的场效应晶体管，但是这些类型通常是特定技术的商品名，并且它们是上面列出的一些FET类型的变体。

MOSFET规格

除了为任何给定电路选择特定类型的MOSFET之外，还必须了解不同的规范。通过这种方式，可以确保MOSFET将工作到所需的性能参数。

MOSFET规范包括从允许的最大电压和电流到电容水平和跨导的所有内容。这些都在确定任何特定MOSFET是否适合给定电路或应用中起作用。

场效应晶体管技术可以用于双极晶体管不适合的许多领域：每种都有其自身的优点和缺点，并且可以在许多电路中用于很好的效果。场效应晶体管具有非常高的输入阻抗，并且是电压驱动器件，这使其可以在许多领域中使用。