MOSFET和JFET比较，如何保护mosfet设备

MOSFET和JFET的比较

MOSFET 和 JFET的工作原理和电气特性非常相似。但是，它们在某些方面有所不同，详情如下：


1. JFET只能在耗尽模式下工作， 而MOSFET可以在耗尽或增强模式下工作。在JFET中，如果栅极正向偏置，则发生过量载流子禁令并且栅极电流很大。因此，由于过量的载流子，信道电导在某种程度上得到增强，但是由于栅极电流是不希望的，所以器件从不以栅极正向偏置操作。

2. MOSFET的输入阻抗远高于JFET的输入阻抗。这是由于可忽略不计的小泄漏电流。

3. JFET的特性曲线比MOSFET特性曲线更平坦，表明更高的漏极电阻。

4. 当JFET在结上以反向偏压操作时，栅极电流I _G 大于其在类似MOSFET中的电流。通过反向偏置结的少数载流子提取引起的电流每单位面积大于MOSFET中的氧化物层所支持的漏电流。因此，MOSFET器件在静电计应用中比JFET更有用。

由于上述原因，并且因为MOSFET稍微更容易制造，所以它们比JFET更广泛地使用。

如何保护mosfet设备

MOSFET需要非常小心地处理，特别是在断电时。在电路中，MOSFET与任何其他类似结构和尺寸的固态器件一样坚固耐用。

MOSFET在沟道和栅极之间具有超薄二氧化硅层。因为绝缘层很薄，所以很容易被过多的栅源电压V _GS破坏。在施加大的栅极电压时，开路栅极可以累积足够的电荷，以便产生足够大的电场以刺穿薄的SiO ₂层。

除了直接施加过大的栅极 - 源极电压V _GS之外 ，薄的SiO ₂层可能以更微妙的方式被破坏。如果在电源接通时插入或从电路中移除MOSFET，则由感应反冲和其他影响引起的瞬态电压可能超过V _Gg / _max 额定值。这将消灭MOSFET。即使拾取MOSFET也可能会产生足够的静电电荷，超过 V _{GS （最大值）}评分。通常，接地环用于短接MOSFET的所有引线，以避免栅极和源极之间产生任何电压。在MOSFET连接到电路中后，接地或短路环被移除。有时在引线之间施加导电泡沫。一些MOSFET受到内置齐纳二极管的保护，与栅极和源极并联，如图所示。在正常工作电压下，齐纳二极管保持开路，不会影响电路的工作。在V _GS极高的情况下，齐纳二极管击穿，从而将栅极电位限制为等于齐纳二极管击穿电压的值，远小于V _{GS max} 额定值。这些内部齐纳二极管的缺点是MOSFET的高输入阻抗降低了吗？在某些应用中，交易是值得的，因为昂贵的MOSFET在没有齐纳保护的情况下很容易被破坏。

保护Mosfet设备的注意事项：

MOSFET是精密设备，很容易被破坏。所以他们要小心处理。此外，在电源打开时，切勿连接或断开它们。最后，在拿起MOSFET器件之前，触摸您正在使用的设备的底座，让您的身体接地。